رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDP2710-F085
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDP2710-F085-DG
وصف:
MOSFET N-CH 250V 4A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 250 V 4A (Ta) 403W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
12838694
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDP2710-F085 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
250 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
47mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
101 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5690 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
403W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
FDP2710
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
FDP2710_F085
FDP2710_F085-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXTP50N25T
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
533
DiGi رقم الجزء
IXTP50N25T-DG
سعر الوحدة
2.35
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXTP76N25T
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
3
DiGi رقم الجزء
IXTP76N25T-DG
سعر الوحدة
2.71
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFB4332PBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
3028
DiGi رقم الجزء
IRFB4332PBF-DG
سعر الوحدة
1.72
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDPF5N50NZF
MOSFET N-CH 500V 4.2A TO220F
FCB11N60FTM
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
FCP099N65S3
MOSFET N-CH 650V 30A TO220-3
