IXTP50N25T
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

IXTP50N25T

Product Overview

المُصنّع:

IXYS

رقم الجزء DiGi Electronics:

IXTP50N25T-DG

وصف:

MOSFET N-CH 250V 50A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 250 V 50A (Tc) 400W (Tc) Through Hole TO-220-3

المخزون:

533 قطع جديدة أصلية في المخزون
12819282
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
gl9J
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

IXTP50N25T المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
Trench
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
250 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
50A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
50mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4000 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
400W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IXTP50

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
IXT(A,H,P,Q)50N25T
مخططات البيانات
IXTP50N25T
ورقة بيانات HTML
IXTP50N25T-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية
50

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
littelfuse

IXFH150N20T

MOSFET N-CH 200V 150A TO247AD

littelfuse

IXTR48P20P

MOSFET P-CH 200V 30A ISOPLUS247

littelfuse

IXFH150N30X3

MOSFET N-CH 300V 150A TO247

littelfuse

IXFT44N50Q3

MOSFET N-CH 500V 44A TO268