الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Qatar
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Qatar
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BUK6209-30C,118
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
BUK6209-30C,118-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 50A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount DPAK
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12828430
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BUK6209-30C,118 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
-
سلسلة
TrenchMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
50A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
9.8mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.8V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
30.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1760 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
80W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DPAK
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
BUK6209-30C
مخططات البيانات
BUK6209-30C,118
ورقة بيانات HTML
BUK6209-30C,118-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
568-6980-1
568-6980-2
BUK620930C118
1727-5502-6
568-6980-6
568-6980-1-DG
BUK6209-30C,118-DG
568-6980-6-DG
934064263118
1727-5502-1
1727-5502-2
568-6980-2-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDD8876
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
8387
DiGi رقم الجزء
FDD8876-DG
سعر الوحدة
0.51
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFR3707ZTRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
35271
DiGi رقم الجزء
IRFR3707ZTRPBF-DG
سعر الوحدة
0.28
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPD30N03S4L09ATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
48073
DiGi رقم الجزء
IPD30N03S4L09ATMA1-DG
سعر الوحدة
0.31
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPD090N03LGATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
94138
DiGi رقم الجزء
IPD090N03LGATMA1-DG
سعر الوحدة
0.23
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FDD8880
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
13967
DiGi رقم الجزء
FDD8880-DG
سعر الوحدة
0.27
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PH2525L,115
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
BSS123/LF1R
MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB
BUK9575-100A,127
MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB
PSMN035-150P,127
MOSFET N-CH 150V 50A TO220AB