رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPD090N03LGATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPD090N03LGATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 40A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
المخزون:
94138 قطع جديدة أصلية في المخزون
12801029
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
pWxm
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPD090N03LGATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
40A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
9mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1600 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
42W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO252-3-11
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
IPD090
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
IPD090N03LGINCT
IPD090N03LGXT
IPD090N03LGINDKR
IPD090N03LGINDKR-DG
IPD090N03LGATMA1CT
IPD090N03LGINTR-DG
IPD090N03LGINCT-DG
IPD090N03LGATMA1TR
INFINFIPD090N03LGATMA1
IPD090N03LGATMA1DKR
2156-IPD090N03LGATMA1
IPD090N03L G
IPD090N03LGINTR
SP000680636
IPD090N03LG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPB80N06S2L06ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IPD5N25S3430ATMA1
MOSFET N-CH 250V 5A TO252-3
BSP322PL6327HTSA1
MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4