رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFN50N80Q2
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFN50N80Q2-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 50A (Tc) 1135W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
المخزون:
12821854
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
f4cX
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFN50N80Q2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
HiPerFET™, Q2 Class
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
50A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
160mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5.5V @ 8mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
13500 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1135W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Chassis Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-227B
العبوة / العلبة
SOT-227-4, miniBLOC
رقم المنتج الأساسي
IXFN50
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXFN60N80P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXFN60N80P-DG
سعر الوحدة
32.66
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXFN66N85X
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
710
DiGi رقم الجزء
IXFN66N85X-DG
سعر الوحدة
32.46
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
APT53F80J
المُصنِّع
Microchip Technology
الكمية المتاحة
89
DiGi رقم الجزء
APT53F80J-DG
سعر الوحدة
52.75
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFL82N60P
MOSFET N-CH 600V 55A ISOPLUS264
IXFQ120N25X3
MOSFET N-CHANNEL 250V 120A TO3P
IXTI10N60P
MOSFET N-CH 600V 10A TO262
