رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXTA3N60P
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXTA3N60P-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 3A TO263
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 3A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount TO-263AA
المخزون:
12821862
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXTA3N60P المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
-
سلسلة
PolarHV™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.9Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5.5V @ 50µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
9.8 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
411 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
70W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263AA
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IXTA3
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STD3N62K3
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
3586
DiGi رقم الجزء
STD3N62K3-DG
سعر الوحدة
0.36
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXTA4N65X2
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
35
DiGi رقم الجزء
IXTA4N65X2-DG
سعر الوحدة
1.18
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFT13N100
MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO268
IXFN40N90P
MOSFET N-CH 900V 33A SOT227B
IXTH12N100L
MOSFET N-CH 1000V 12A TO247
