رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF614SPBF
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF614SPBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 250 V 2.7A (Tc) 3.1W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
1010 قطع جديدة أصلية في المخزون
13053639
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
gcJU
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF614SPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tube
سلسلة
-
التغليف
Tube
حالة الجزء
Last Time Buy
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
250 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.7A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2Ohm @ 1.6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
140 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.1W (Ta), 36W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IRF614
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF740SPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
1208
DiGi رقم الجزء
IRF740SPBF-DG
سعر الوحدة
1.05
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRC634PBF
MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220-5
IRLD024PBF
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
IRFP9140
MOSFET P-CH 100V 21A TO247-3
