رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIR5102DP-T1-RE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIR5102DP-T1-RE3-DG
وصف:
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 27A (Ta), 110A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
المخزون:
5853 قطع جديدة أصلية في المخزون
12964722
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIR5102DP-T1-RE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET® Gen V
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
27A (Ta), 110A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
7.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.1mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2850 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® SO-8
العبوة / العلبة
PowerPAK® SO-8
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
742-SIR5102DP-T1-RE3CT
742-SIR5102DP-T1-RE3DKR
742-SIR5102DP-T1-RE3TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI1405BDH-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
SIJH800E-T1-GE3
N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
PJC7438_R1_00001
SOT-323, MOSFET
