IRFR9210TRR
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

IRFR9210TRR

Product Overview

المُصنّع:

Vishay Siliconix

رقم الجزء DiGi Electronics:

IRFR9210TRR-DG

وصف:

MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
وصف تفصيلي:
P-Channel 200 V 1.9A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount DPAK

المخزون:

12914381
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

IRFR9210TRR المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.9A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
8.9 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
170 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DPAK
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
IRFR9210

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
IRFR9210TRPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
3741
DiGi رقم الجزء
IRFR9210TRPBF-DG
سعر الوحدة
0.46
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
vishay-siliconix

SI4636DY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 17A 8SO

vishay-siliconix

IRLU014PBF

MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA

vishay-siliconix

IRFP22N60C3PBF

MOSFET N-CH 650V 22A TO247-3

vishay-siliconix

SI2331DS-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3