رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFPG30
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFPG30-DG
وصف:
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO247-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 1000 V 3.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247AC
المخزون:
12910831
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFPG30 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
1000 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.1A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
980 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
125W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247AC
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
IRFPG30
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
*IRFPG30
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXTH3N100P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXTH3N100P-DG
سعر الوحدة
3.72
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRFPG30PBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
124
DiGi رقم الجزء
IRFPG30PBF-DG
سعر الوحدة
1.48
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
IXFH12N100F
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXFH12N100F-DG
سعر الوحدة
6.81
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFD014
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP
IRFZ40PBF
MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
IXTT30N60L2
MOSFET N-CH 600V 30A TO268