رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF720STRR
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF720STRR-DG
وصف:
MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 400 V 3.3A (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
12858657
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
ul1G
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF720STRR المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
400 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.3A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.8Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
410 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.1W (Ta), 50W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IRF720
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF540NSTRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
7309
DiGi رقم الجزء
IRF540NSTRLPBF-DG
سعر الوحدة
0.52
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRF720STRRPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IRF720STRRPBF-DG
سعر الوحدة
0.76
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NVMFS5C456NLWFT1G
MOSFET N-CH 40V 5DFN
NVMFS6H852NWFT1G
MOSFET N-CH 80V 10A/40A 5DFN
PCP1403-TD-H
MOSFET N-CH 60V 4.5A SOT89/PCP-1
