الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Qatar
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Qatar
مفتاح:
الإنكليزية
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
HN1C01FU-GR,LF
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
HN1C01FU-GR,LF-DG
وصف:
TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 80MHz 200mW Surface Mount US6
المخزون:
2091 قطع جديدة أصلية في المخزون
12889176
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
m
Q
Z
e
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
HN1C01FU-GR,LF المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مصفوفات الترانزستورات الثنائية القطبية
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 NPN (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
150mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
250mV @ 10mA, 100mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
200 @ 2mA, 6V
الطاقة - الحد الأقصى
200mW
التردد - الانتقال
80MHz
درجة حرارة التشغيل
125°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
US6
رقم المنتج الأساسي
HN1C01
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
HN1C01FU
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
HN1C01FUGRLFTDKR
HN1C01FU-GRLFINACTIVE
HN1C01FU-GRLFTR
HN1C01FUGRLFTCT
HN1C01FU-GRLF
HN1C01FU-GR,LF(T
HN1C01FU-GRLFDKR
HN1C01FUGRLFT
HN1C01FUGRLFTDKR-DG
HN1C01FU-GRLFCT
HN1C01FU-GRLF-DG
HN1C01FUGRLFTCT-DG
HN1C01FU-GR(L,F,T)
HN1C01FUGRLFTTR
HN1C01FUGRLFTTR-DG
HN1C01FU-GR,LF(B
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
UMX1NTN
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
15460
DiGi رقم الجزء
UMX1NTN-DG
سعر الوحدة
0.06
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PUMX2,115
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
2990
DiGi رقم الجزء
PUMX2,115-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
HN3A51F(TE85L,F)
TRANS 2PNP 120V 0.1A SM6
HN4A56JU(TE85L,F)
TRANS 2 PNP 50V 150MA 5TSSOP
HN2C01FU-Y(TE85L,F
TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
HN1C01FYTE85LF
TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6