رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SC4881,LS1SUMIF(M
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SC4881,LS1SUMIF(M-DG
وصف:
TRANS NPN 50V 5A TO220NIS
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 5 A 100MHz 2 W Through Hole TO-220NIS
المخزون:
12890588
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SC4881,LS1SUMIF(M المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
5 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
400mV @ 125mA, 2.5A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
1µA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
100 @ 1A, 1V
الطاقة - الحد الأقصى
2 W
التردد - الانتقال
100MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
حزمة جهاز المورد
TO-220NIS
رقم المنتج الأساسي
2SC4881
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
2SC4881LS1SUMIFM
2SC4881LS1SUMIF(M
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SC2229-Y(MIT,F,M)
TRANS NPN 150V 0.05A TO92MOD
2SC2229-Y(T6ONK1FM
TRANS NPN 150V 0.05A TO92MOD
BC847B-13-F
TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
