رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SA1972,F(J
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SA1972,F(J-DG
وصف:
TRANS PNP 400V 0.5A TO92MOD
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 400 V 500 mA 35MHz 900 mW Through Hole TO-92MOD
المخزون:
12889628
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SA1972,F(J المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
PNP
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
500 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
400 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
1V @ 10mA, 100mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
10µA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
140 @ 20mA, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
900 mW
التردد - الانتقال
35MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
حزمة جهاز المورد
TO-92MOD
رقم المنتج الأساسي
2SA1972
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
2SA1972FJ
2SA1972F(J
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
2SA1971(TE12L,F)
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
610
DiGi رقم الجزء
2SA1971(TE12L,F)-DG
سعر الوحدة
0.16
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SB647-C-AP
TRANS PNP 80V 1A TO92MOD
2SA1955FVBTPL3Z
TRANS PNP 12V 0.4A VESM
2SC4944-GR(TE85L,F
TRANS NPN 50V 0.15A USV
