الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Qatar
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Qatar
مفتاح:
الإنكليزية
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SA1972,F(J
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SA1972,F(J-DG
وصف:
TRANS PNP 400V 0.5A TO92MOD
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 400 V 500 mA 35MHz 900 mW Through Hole TO-92MOD
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12889628
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SA1972,F(J المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
PNP
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
500 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
400 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
1V @ 10mA, 100mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
10µA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
140 @ 20mA, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
900 mW
التردد - الانتقال
35MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
حزمة جهاز المورد
TO-92MOD
رقم المنتج الأساسي
2SA1972
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
2SA1972FJ
2SA1972F(J
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
2SA1971(TE12L,F)
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
610
DiGi رقم الجزء
2SA1971(TE12L,F)-DG
سعر الوحدة
0.16
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SB647-C-AP
TRANS PNP 80V 1A TO92MOD
2SA1955FVBTPL3Z
TRANS PNP 12V 0.4A VESM
2SC4944-GR(TE85L,F
TRANS NPN 50V 0.15A USV
2SA1020-Y(ND1,AF)
TRANS PNP 50V 2A TO92MOD