رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
CSD17576Q5B
Product Overview
المُصنّع:
Texas Instruments
رقم الجزء DiGi Electronics:
CSD17576Q5B-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 100A (Ta) 3.1W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)
المخزون:
6497 قطع جديدة أصلية في المخزون
12788548
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
CSD17576Q5B المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Texas Instruments
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
NexFET™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.8V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4430 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.1W (Ta), 125W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-VSONP (5x6)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
CSD17576Q5
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
صفحة منتج الشركة المصنعة
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
296-43635-6
TEXTISCSD17576Q5B
296-43635-2
2156-CSD17576Q5B
296-43635-1
CSD17576Q5B-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2N7002-G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
CSD19536KTTT
MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
2N7000-G
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
