رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STP90N6F6
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STP90N6F6-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 84A TO220
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 84A (Tc) 136W (Tc) Through Hole TO-220
المخزون:
842 قطع جديدة أصلية في المخزون
12871425
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
dc4W
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STP90N6F6 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tube
سلسلة
DeepGATE™, STripFET™ VI
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
84A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6.8mOhm @ 38.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
74.9 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4295 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
136W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
STP90N
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
497-15019-5
-497-15019-5
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STP100N6F7
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STP100N6F7-DG
سعر الوحدة
0.71
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXTP120N075T2
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
44
DiGi رقم الجزء
IXTP120N075T2-DG
سعر الوحدة
1.69
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
AUIRF3205Z
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
2535
DiGi رقم الجزء
AUIRF3205Z-DG
سعر الوحدة
1.31
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STP18N60DM2
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
STW11NM80
MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
STP60NF06L
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
