رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SP8K33HZGTB
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
SP8K33HZGTB-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 60V 5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
المخزون:
2295 قطع جديدة أصلية في المخزون
12996593
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SP8K33HZGTB المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5A (Ta)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
48mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
12nC @ 5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
620pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
2W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOP
رقم المنتج الأساسي
SP8K33
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
846-SP8K33HZGTBTR
846-SP8K33HZGTBCT
846-SP8K33HZGTBDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FS03MR12A6MA1LBBPSA1
SIC 6N-CH 1200V AG-HYBRIDD
IPG20N04S409AATMA1
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
PMDPB95XNE2X
MOSFET 30V
