رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RS1L145GNTB
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
RS1L145GNTB-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 14.5A/47A 8HSOP
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 14.5A (Ta), 47A (Tc) 3W (Ta) Surface Mount 8-HSOP
المخزون:
1003 قطع جديدة أصلية في المخزون
13527184
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RS1L145GNTB المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
14.5A (Ta), 47A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
9.7mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.7V @ 200µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1880 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-HSOP
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
RS1L
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
RS1L145GNTBDKR
RS1L145GNTBCT
RS1L145GNTBTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
BSZ099N06LS5ATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
24486
DiGi رقم الجزء
BSZ099N06LS5ATMA1-DG
سعر الوحدة
0.32
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DMT6010LPS-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
4694
DiGi رقم الجزء
DMT6010LPS-13-DG
سعر الوحدة
0.34
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RD3L050SNTL1
MOSFET N-CH 60V 5A TO252
RUR040N02TL
MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
R6020ENZ1C9
MOSFET N-CH 600V 20A TO247