RQ3E120BNTB
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

RQ3E120BNTB

Product Overview

المُصنّع:

Rohm Semiconductor

رقم الجزء DiGi Electronics:

RQ3E120BNTB-DG

وصف:

MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 12A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)

المخزون:

2880 قطع جديدة أصلية في المخزون
13525496
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
edIp
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

RQ3E120BNTB المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
9.3mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1500 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-HSMT (3.2x3)
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
رقم المنتج الأساسي
RQ3E120

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
RQ3E120BNTB HSMT8 TB Taping Spec

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
RQ3E120BNTBCT
RQ3E120BNTBDKR
RQ3E120BNTBTR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
rohm-semi

R5016FNX

MOSFET N-CH 500V 16A TO220FM

rohm-semi

RQ6A045ZPTR

MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6

rohm-semi

RD3L08BGNTL

MOSFET N-CH 60V 80A TO252

rohm-semi

R6035ENZ1C9

MOSFET N-CH 600V 35A TO247