رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RD3G500GNTL
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
RD3G500GNTL-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 50A TO252
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 50A (Tc) 35W (Tc) Surface Mount TO-252
المخزون:
2483 قطع جديدة أصلية في المخزون
13526570
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
1FD1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RD3G500GNTL المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
50A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
22800 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
35W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
RD3G500
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
RD3G500GNTLCT
RD3G500GNTLTR
RD3G500GNTLDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFR7446TRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
6156
DiGi رقم الجزء
IRFR7446TRPBF-DG
سعر الوحدة
0.43
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
TK65S04N1L,LQ
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
7976
DiGi رقم الجزء
TK65S04N1L,LQ-DG
سعر الوحدة
0.74
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RXH125N03TB1
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOP
R6025ANZC8
MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
RQ5E025ATTCL
MOSFET P-CHANNEL 30V 2.5A TSMT3
