الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Qatar
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Qatar
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
R6046FNZ1C9
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
R6046FNZ1C9-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 46A TO247
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 46A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247
المخزون:
278 قطع جديدة أصلية في المخزون
12823329
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
R6046FNZ1C9 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
46A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
98mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6230 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
120W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247
العبوة / العلبة
TO-247-3
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
R6046FNZ1
مخططات البيانات
R6046FNZ1C9
ورقة بيانات HTML
R6046FNZ1C9-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
450
اسماء اخرى
846-R6046FNZ1C9
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TK31N60X,S1F
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
20
DiGi رقم الجزء
TK31N60X,S1F-DG
سعر الوحدة
2.57
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STW48N60DM2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
590
DiGi رقم الجزء
STW48N60DM2-DG
سعر الوحدة
3.88
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXFL82N60P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
25
DiGi رقم الجزء
IXFL82N60P-DG
سعر الوحدة
24.34
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXFX64N60P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
911
DiGi رقم الجزء
IXFX64N60P-DG
سعر الوحدة
13.25
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
R6050JNZ4C13
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
545
DiGi رقم الجزء
R6050JNZ4C13-DG
سعر الوحدة
11.16
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
CPC3708CTR
MOSFET N-CH 350V 5MA SOT89
IPU80R1K0CEAKMA1
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3
IPD70R900P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3
IRF6644TRPBF
MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET