QH8KA1TCR
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

QH8KA1TCR

Product Overview

المُصنّع:

Rohm Semiconductor

رقم الجزء DiGi Electronics:

QH8KA1TCR-DG

وصف:

MOSFET 2N-CH 30V 4.5A TSMT8
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 4.5A 2.4W Surface Mount TSMT8

المخزون:

2865 قطع جديدة أصلية في المخزون
13524309
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
vk3a
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

QH8KA1TCR المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
-
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.5A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
73mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
3nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
125pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى
2.4W
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SMD, Flat Lead
حزمة جهاز المورد
TSMT8
رقم المنتج الأساسي
QH8KA1

مواصفات تقنية ومستندات

موارد التصميم
TSMT8DCu Inner Structure
أوراق البيانات
QH8KA1TCR TSMT8 TR Taping Spec

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
QH8KA1TCRTR
QH8KA1TCRDKR
QH8KA1TCRCT

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
rohm-semi

QS8J13TR

MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8

rohm-semi

TT8K2TR

MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 8TSST

rohm-semi

SP8J1TB

MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOP

rohm-semi

SP8K24FU6TB

MOSFET 2N-CH 45V 6A 8SOP