الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Qatar
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Qatar
مفتاح:
الإنكليزية
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IMT18T110
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
IMT18T110-DG
وصف:
TRANS 2PNP 12V 0.5A 6SMT
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 12V 500mA 260MHz 300mW Surface Mount SMT6
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
13524934
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IMT18T110 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مصفوفات الترانزستورات الثنائية القطبية
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 PNP (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
500mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
12V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
250mV @ 10mA, 200mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
270 @ 10mA, 2V
الطاقة - الحد الأقصى
300mW
التردد - الانتقال
260MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SC-74, SOT-457
حزمة جهاز المورد
SMT6
رقم المنتج الأساسي
IMT18
مواصفات تقنية ومستندات
وثائق الموثوقية
SMT6 BIP Reliability Test
موارد التصميم
SMT6 Inner Structure
أوراق البيانات
IMT18T110
SMT6 T110 Taping Spec
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IMT3AT108
TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT
VT6T1T2R
PNP+PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIC
IMX1T110
TRANS 2NPN 50V 0.15A 6SMT
US6X7TR
NPN+NPN DRIVER TRANSISTOR