رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DTA114TEBTL
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
DTA114TEBTL-DG
وصف:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount EMT3
المخزون:
13524546
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DTA114TEBTL المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب مسبقة التحفيز مفردة
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
PNP - Pre-Biased
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
المقاوم - القاعدة (R1)
10 kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
100 @ 1mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 1mA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA (ICBO)
التردد - الانتقال
250 MHz
الطاقة - الحد الأقصى
150 mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SC-75, SOT-416
حزمة جهاز المورد
EMT3
رقم المنتج الأساسي
DTA114
مواصفات تقنية ومستندات
وثائق الموثوقية
موارد التصميم
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
RN2111,LF(CT
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
3000
DiGi رقم الجزء
RN2111,LF(CT-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DTA143ECAHZGT116
TRANS PREBIAS PNP 0.1A SST3
DTC115TETL
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
DTC143EUBTL
TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
