رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PJF18N20_T0_00001
Product Overview
المُصنّع:
Panjit International Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PJF18N20_T0_00001-DG
وصف:
200V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 50W (Tc) Through Hole ITO-220AB
المخزون:
1896 قطع جديدة أصلية في المخزون
12973798
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PJF18N20_T0_00001 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
PANJIT
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
18A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
160mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1017 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
50W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
ITO-220AB
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
PJF18N20
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
3757-PJF18N20_T0_00001
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PJC7439_R1_00001
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJD25N04-AU_L2_000A1
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
SUD09P10-195-BE3
MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK
