رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NVMFS5C468NWFT1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NVMFS5C468NWFT1G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 12A/35A 5DFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 12A (Ta), 35A (Tc) 3.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
المخزون:
12841294
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
So4g
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NVMFS5C468NWFT1G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12A (Ta), 35A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
12mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
7.9 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
420 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.5W (Ta), 28W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount, Wettable Flank
حزمة جهاز المورد
5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN, 5 Leads
رقم المنتج الأساسي
NVMFS5
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,500
اسماء اخرى
NVMFS5C468NWFT1G-DG
488-NVMFS5C468NWFT1GDKR
488-NVMFS5C468NWFT1GTR
488-NVMFS5C468NWFT1GCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NVMFS5C468NT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
10
DiGi رقم الجزء
NVMFS5C468NT1G-DG
سعر الوحدة
0.44
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTTFS4C02NTAG
MOSFET N-CH 30V 170A 8WDFN
NVTFS5116PLWFTWG
MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
MCH6336-TL-W
MOSFET P-CH 12V 5A SC88FL/MCPH6
