رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTMS10P02R2
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTMS10P02R2-DG
وصف:
MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 8.8A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
12857615
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTMS10P02R2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8.8A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
14mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
70 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3640 pF @ 16 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.6W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
رقم المنتج الأساسي
NTMS10
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
2156-NTMS10P02R2
2156-NTMS10P02R2-ONTR-DG
NTMS10P02R2OSTR
ONSONSNTMS10P02R2
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
DMP2022LSS-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
37400
DiGi رقم الجزء
DMP2022LSS-13-DG
سعر الوحدة
0.22
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
NTMS10P02R2G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
2644
DiGi رقم الجزء
NTMS10P02R2G-DG
سعر الوحدة
0.62
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NVMFS5C468NLAFT3G
MOSFET N-CH 40V 13A/37A 5DFN
NVD5C668NLT4G
MOSFET N-CHANNEL 60V 49A DPAK
NVMFS5C468NLWFT1G
MOSFET N-CH 40V 5DFN
