رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTMD2C02R2
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTMD2C02R2-DG
وصف:
MOSFET N/P-CH 20V 5.2A 8SOIC
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 5.2A, 3.4A 2W Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
12859846
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTMD2C02R2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
N and P-Channel
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5.2A, 3.4A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
43mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
20nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1100pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
2W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
رقم المنتج الأساسي
NTMD2C
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
NTMD2C02R2OS
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTTD1P02R2
MOSFET 2P-CH 20V 1.45A 8MSOP
UP0497900L
MOSFET N/P-CH 50V/30V SSMINI-6P
NDS8852H
MOSFET N/P-CH 30V 4.3A 8SOIC
