رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTF3055L175T1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTF3055L175T1G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 2A SOT223
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 2A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount SOT-223 (TO-261)
المخزون:
12848185
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTF3055L175T1G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
175mOhm @ 1A, 5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±15V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
270 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.3W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-223 (TO-261)
العبوة / العلبة
TO-261-4, TO-261AA
رقم المنتج الأساسي
NTF305
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
NTF3055L175T1GOSDKR
NTF3055L175T1GOS
NTF3055L175T1GOSCT
NTF3055L175T1GOSTR
NTF3055L175T1GOS-DG
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NDT014
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
19700
DiGi رقم الجزء
NDT014-DG
سعر الوحدة
0.35
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STN3NF06
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
3898
DiGi رقم الجزء
STN3NF06-DG
سعر الوحدة
0.36
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STN3NF06L
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
11330
DiGi رقم الجزء
STN3NF06L-DG
سعر الوحدة
0.35
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPB100N06S2L05ATMA1
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
NTMFS4C022NT1G
MOSFET N-CH 30V 30A/136A 5DFN
FQPF4N80
MOSFET N-CH 800V 2.2A TO220F