رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTD4965N-35G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTD4965N-35G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 13A/68A IPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 13A (Ta), 68A (Tc) 1.39W (Ta), 38.5W (Tc) Through Hole I-Pak
المخزون:
12855968
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTD4965N-35G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
13A (Ta), 68A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
17.2 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1710 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.39W (Ta), 38.5W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
I-PAK
العبوة / العلبة
TO-251-3 Stub Leads, IPak
رقم المنتج الأساسي
NTD49
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
75
اسماء اخرى
ONSONSNTD4965N-35G
2156-NTD4965N-35G-ON
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NDF05N50ZH
MOSFET N-CH 500V 5.5A TO220FP
NTMFS5C468NLT3G
MOSFET N-CH 40V 5DFN
NTMS4802NR2G
MOSFET N-CH 30V 11.1A 8SOIC
