رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTBGS2D5N06C
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTBGS2D5N06C-DG
وصف:
POWER MOSFET, 60 V, 2.5 M?, 224
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 27A (Ta), 169A (Tc) 3.7W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
796 قطع جديدة أصلية في المخزون
12954659
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
nIey
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTBGS2D5N06C المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Last Time Buy
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
27A (Ta), 169A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V, 12V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.5mOhm @ 35A, 12V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 175µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
45.4 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3510 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.7W (Ta), 136W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
488-NTBGS2D5N06CTR
488-NTBGS2D5N06CDKR
488-NTBGS2D5N06CCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SUD50N02-04P-E3
MOSFET N-CH 20V 50A TO252
IQE013N04LM6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSON
SSM3K361TU,LXHF
AECQ MOSFET NCH 100V 3.5A SOT323
