NTB13N10T4G
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

NTB13N10T4G

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

NTB13N10T4G-DG

وصف:

MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 13A (Ta) 64.7W (Ta) Surface Mount D2PAK

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12847860
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

NTB13N10T4G المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
13A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
165mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
550 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
64.7W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
D2PAK
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
NTB13

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
NTB13N10

معلومات إضافية

الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
NTB13N10T4GOS

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FDMS7660AS

MOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN

onsemi

FDMS003N08C

MOSFET N-CH 80V 22A/147A POWER56

alpha-and-omega-semiconductor

AOL1206

MOSFET N-CH 30V 16A/54A ULTRASO8

onsemi

NTD5867NL-1G

MOSFET N-CH 60V 20A IPAK