MVDF2C03HDR2G

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

MVDF2C03HDR2G

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

MVDF2C03HDR2G-DG

وصف:

MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC

وصف تفصيلي:

Mosfet Array 30V 4.1A, 3A 2W Surface Mount 8-SOIC

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12840141

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

Esn2

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

MVDF2C03HDR2G المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

-

سلسلة

-

حالة المنتج

Obsolete

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

تكوين

N and P-Channel Complementary

ميزة FET

Logic Level Gate

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

30V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

4.1A, 3A

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

70mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

3V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

16nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

630pF @ 24V

الطاقة - الحد الأقصى

2W

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

العبوة / العلبة

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

حزمة جهاز المورد

8-SOIC

رقم المنتج الأساسي

MVDF2

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

MVDF2C03HDR2G-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية

2,500

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

onsemi

MCH6662-TL-W

MOSFET 2N-CH 20V 2A SC88FL

QJD1210SA2

SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE

onsemi

ECH8651R-TL-H

MOSFET 2N-CH 24V 10A 8ECH

FDC6320C

MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SSOT6