رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
KSD1691GSTU
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
KSD1691GSTU-DG
وصف:
TRANS NPN 60V 5A TO126-3
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 5 A 1.3 W Through Hole TO-126-3
المخزون:
1172 قطع جديدة أصلية في المخزون
12853792
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
KSD1691GSTU المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
5 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
60 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 200mA, 2A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
10µA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
200 @ 2A, 1V
الطاقة - الحد الأقصى
1.3 W
التردد - الانتقال
-
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-225AA, TO-126-3
حزمة جهاز المورد
TO-126-3
رقم المنتج الأساسي
KSD1691
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,920
اسماء اخرى
2832-KSD1691GSTU
488-KSD1691GSTU
1990-KSD1691GSTU
KSD1691GSTU-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
MJW3281A
TRANS NPN 230V 15A TO247-3
KSH29ITU
TRANS NPN 40V 1A IPAK
KSD5041RTA
TRANS NPN 20V 5A TO92-3