HUF76445S3S
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

HUF76445S3S

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

HUF76445S3S-DG

وصف:

MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 75A (Tc) 310W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12850227
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
ygwR
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

HUF76445S3S المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
UltraFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
75A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4965 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
310W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
HUF76

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات
HUF76445S3S
ورقة بيانات HTML
HUF76445S3S-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية
50

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
BUK966R5-60E,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
4779
DiGi رقم الجزء
BUK966R5-60E,118-DG
سعر الوحدة
0.89
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPB80N06S405ATMA2
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
753
DiGi رقم الجزء
IPB80N06S405ATMA2-DG
سعر الوحدة
0.78
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFS3307ZTRRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
768
DiGi رقم الجزء
IRFS3307ZTRRPBF-DG
سعر الوحدة
1.22
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPB054N06N3GATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
1043
DiGi رقم الجزء
IPB054N06N3GATMA1-DG
سعر الوحدة
0.72
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FDB5800
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
460
DiGi رقم الجزء
FDB5800-DG
سعر الوحدة
1.27
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FQA90N10V2

MOSFET N-CH 100V 105A TO3P

alpha-and-omega-semiconductor

AOT292L

MOSFET N-CH 100V 105A TO220

alpha-and-omega-semiconductor

AOT500

MOSFET N-CH 33V 80A TO220

onsemi

FDD8444

MOSFET N-CH 40V 145A TO252AA