رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FW907-TL-E
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FW907-TL-E-DG
وصف:
MOSFET N/P-CH 30V 10A/8A 8SOP
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 10A, 8A 2.5W Surface Mount 8-SOP
المخزون:
12850797
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
hda7
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FW907-TL-E المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
N and P-Channel
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10A, 8A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
17mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
-
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
17nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1000pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
2.5W
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOP
رقم المنتج الأساسي
FW907
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
2156-FW907-TL-E-ONTR
ONSONSFW907-TL-E
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDG6301N-F085
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
EFC4C002NLTDG
MOSFET 2N-CH 8WLCSP
EFC4K105NUZTDG
MOSFET 2N-CH 22V 25A 10WLCSP
