رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQU13N10LTU
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQU13N10LTU-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 10A (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc) Through Hole IPAK
المخزون:
12846052
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQU13N10LTU المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
180mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
12 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
520 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 40W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
IPAK
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
FQU13N10
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
70
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TSM900N10CH X0G
المُصنِّع
Taiwan Semiconductor Corporation
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
TSM900N10CH X0G-DG
سعر الوحدة
0.26
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DMN10H170SK3-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
252806
DiGi رقم الجزء
DMN10H170SK3-13-DG
سعر الوحدة
0.19
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSS138N-E6327
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
AOTF11C60PL
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3F
AONS66612
MOSFET N-CH 60V 46A/100A 8DFN
