رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQPF47P06YDTU
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQPF47P06YDTU-DG
وصف:
MOSFET P-CH 60V 30A TO220F-3
وصف تفصيلي:
P-Channel 60 V 30A (Tc) 62W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
المخزون:
12851552
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQPF47P06YDTU المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
30A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
26mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3600 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
62W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220F-3 (Y-Forming)
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
رقم المنتج الأساسي
FQPF4
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FQPF47P06
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
FQPF47P06-DG
سعر الوحدة
1.38
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FCPF650N80Z
MOSFET N-CH 800V 8A TO220F
IRFU220BTU-AM002
MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK
FDS7064N
MOSFET N-CH 30V 16A 8SO
