الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Qatar
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Qatar
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQP7N80
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQP7N80-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 6.6A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 6.6A (Tc) 167W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12837493
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQP7N80 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6.6A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.5Ohm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1850 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
167W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
FQP7
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
FQP7N80
ورقة بيانات HTML
FQP7N80-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
AOT8N80L
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
988
DiGi رقم الجزء
AOT8N80L-DG
سعر الوحدة
0.64
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP5NK60Z
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1103
DiGi رقم الجزء
STP5NK60Z-DG
سعر الوحدة
0.80
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP5N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
33
DiGi رقم الجزء
STP5N60M2-DG
سعر الوحدة
0.53
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP7NK80Z
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
995
DiGi رقم الجزء
STP7NK80Z-DG
سعر الوحدة
1.21
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP6N80K5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STP6N80K5-DG
سعر الوحدة
1.05
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDV304P_NB8U003
MOSFET P-CH 25V 460MA SOT-23
FDMS7570S
MOSFET N-CH 25V 28A/49A 8PQFN
HUF75344P3
MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
FQP44N10
MOSFET N-CH 100V 43.5A TO220-3