رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQD4N50TM_WS
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQD4N50TM_WS-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 2.6A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount TO-252AA
المخزون:
12848467
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
oOwS
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQD4N50TM_WS المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.6A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.7Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
460 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 45W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
FQD4
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
AOD3N50
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
8729
DiGi رقم الجزء
AOD3N50-DG
سعر الوحدة
0.21
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFR420PBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
1213
DiGi رقم الجزء
IRFR420PBF-DG
سعر الوحدة
0.43
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
AOD3N40
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
AOD3N40-DG
سعر الوحدة
0.20
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FCH085N80-F155
MOSFET N-CH 800V 46A TO247
AOB10N60L
MOSFET N-CH 600V 10A TO263
AON6452L
MOSFET N-CH 100V 6.5A/26A 8DFN