رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQD10N20LTF
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQD10N20LTF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 200V 7.6A TO252
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V 7.6A (Tc) 2.5W (Ta), 51W (Tc) Surface Mount DPAK
المخزون:
12849164
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQD10N20LTF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7.6A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
360mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
17 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
830 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 51W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DPAK
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
FQD1
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
RCD075N19TL
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
1
DiGi رقم الجزء
RCD075N19TL-DG
سعر الوحدة
0.97
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STD5N20LT4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
20061
DiGi رقم الجزء
STD5N20LT4-DG
سعر الوحدة
0.37
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
AOD4504
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
AOD4504-DG
سعر الوحدة
0.30
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQPF18N20V2YDTU
MOSFET N-CH 200V 18A TO220F-3
AOB2500L
MOSFET N-CH 150V 11.5/152A TO263
BSP135L6433HTMA1
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
