الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Qatar
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Qatar
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDU7N60NZTU
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDU7N60NZTU-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 5.5A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I-PAK
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12848999
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDU7N60NZTU المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
UniFET-II™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.25Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
730 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
90W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
I-PAK
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
FDU7
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
FDD7N60NZ, FDU7N60NZTU
مخططات البيانات
FDU7N60NZTU
ورقة بيانات HTML
FDU7N60NZTU-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,040
اسماء اخرى
2156-FDU7N60NZTU-OS
ONSFSCFDU7N60NZTU
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STU6N62K3
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
5990
DiGi رقم الجزء
STU6N62K3-DG
سعر الوحدة
0.74
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPU80R900P7AKMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
1500
DiGi رقم الجزء
IPU80R900P7AKMA1-DG
سعر الوحدة
0.47
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STU7N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
3000
DiGi رقم الجزء
STU7N60M2-DG
سعر الوحدة
0.49
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STU6N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
4
DiGi رقم الجزء
STU6N60M2-DG
سعر الوحدة
0.46
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTMFS5C670NLT3G
MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN
FQD17P06TM
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
FDN352AP
MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
FQP58N08
MOSFET N-CH 80V 57.5A TO220-3