رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDS7288N3
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDS7288N3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 20A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO FLMP
المخزون:
12839416
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
6quj
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDS7288N3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
20A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.5mOhm @ 20.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3300 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SO FLMP
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
رقم المنتج الأساسي
FDS72
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
FDS7288N3CT-NDR
FDS7288N3_NLCT
FDS7288N3DKR
FDS7288N3TR
FDS7288N3TR-NDR
FDS7288N3_NL
FDS7288N3_NLTR-DG
FDS7288N3_NLTR
FDS7288N3CT
FDS7288N3_NLCT-DG
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTD4906NA-35G
MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A IPAK
FQPF3N25
MOSFET N-CH 250V 2.3A TO220F
FDS7088N7
MOSFET N-CH 30V 23A 8SO