FDS6670A
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDS6670A

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDS6670A-DG

وصف:

MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 13A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

المخزون:

7202 قطع جديدة أصلية في المخزون
12838859
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
jY7K
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDS6670A المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
13A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
8mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
30 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2220 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
رقم المنتج الأساسي
FDS6670

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
FDS6670A
مخططات البيانات
FDS6670A
ورقة بيانات HTML
FDS6670A-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
FDS6670ADKR
FDS6670ACT-NDR
2166-FDS6670A-488
FDS6670ATR-NDR
FDS6670ATR
FDS6670ACT

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FDD3682

MOSFET N-CH 100V 5.5/32A TO252AA

onsemi

FQPF5N50CT

MOSFET N-CH 500V 5A TO220F

onsemi

FDD86102LZ

MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK

infineon-technologies

94-2989

MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK