رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDP3651U
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDP3651U-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 255W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
798 قطع جديدة أصلية في المخزون
12837068
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDP3651U المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
80A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
18mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5522 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
255W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
FDP36
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
1990-FDP3651U
488-FDP3651U
1990-FDP3651U-DG
488-FDP3651U-DG
488-FDP3651UINACTIVE
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDMC4D9P20X8
MOSFET P-CH 20V 18A/75A 8PQFN
5HP01SS-TL-E
MOSFET P-CH 50V 70MA SSFP3
IRFS634B_FP001
MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220F
