رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDP2D3N10C
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDP2D3N10C-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 222A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
615 قطع جديدة أصلية في المخزون
12839321
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDP2D3N10C المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
222A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 700µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
152 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
11180 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
214W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
FDP2D3
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
2156-FDP2D3N10C-OS
ONSONSFDP2D3N10C
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDC2612_F095
MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6
FDT86246L
MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
FDD86369-F085
MOSFET N-CH 80V 90A DPAK
