رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDN5630-B8
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDN5630-B8-DG
وصف:
FET 60V 1.0 MOHM SSOT3
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 1.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
المخزون:
12975173
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
2IcW
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDN5630-B8 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.7A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
100mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
560 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
500mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
488-FDN5630-B8TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPT65R099CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 650V 8HSOF
G65P06D5
P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3V
2N7002KM-TP
N-CHANNEL MOSFET SOT-723
