FDMS86252

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDMS86252

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDMS86252-DG

وصف:

MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFN

وصف تفصيلي:

N-Channel 150 V 4.6A (Ta), 16A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

المخزون:

3105 قطع جديدة أصلية في المخزون

12850748

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

YHXv

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

FDMS86252 المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

Tape & Reel (TR)

سلسلة

PowerTrench®

حالة المنتج

Active

نوع FET

N-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

150 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

4.6A (Ta), 16A (Tc)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

6V, 10V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

51mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

4V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

15 nC @ 10 V

Vgs (ماكس)

±20V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

905 pF @ 75 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

2.5W (Ta), 69W (Tc)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

8-PQFN (5x6)

العبوة / العلبة

8-PowerTDFN

رقم المنتج الأساسي

FDMS86

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

3,000

اسماء اخرى

FDMS86252CT

FDMS86252TR

2156-FDMS86252-OS

ONSONSFDMS86252

FDMS86252DKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

onsemi

HUF76419S3ST-F085

MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK

onsemi

HUFA75645S3S

MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

alpha-and-omega-semiconductor

AON6782

MOSFET N-CH 30V 24A/85A 8DFN

onsemi

HUFA76619D3S

MOSFET N-CH 100V 18A TO252AA