FDMC86259P

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDMC86259P

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDMC86259P-DG

وصف:

MOSFET P-CH 150V 3.2A/13A PWR33

وصف تفصيلي:

P-Channel 150 V 3.2A (Ta), 13A (Tc) 2.3W (Ta), 62W (Tc) Surface Mount Power33

المخزون:

4505 قطع جديدة أصلية في المخزون

12846433

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

FDMC86259P المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

Tape & Reel (TR)

سلسلة

PowerTrench®

حالة المنتج

Active

نوع FET

P-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

150 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

3.2A (Ta), 13A (Tc)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

6V, 10V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

107mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

4V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

32 nC @ 10 V

Vgs (ماكس)

±25V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

2045 pF @ 75 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

2.3W (Ta), 62W (Tc)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

Power33

العبوة / العلبة

8-PowerWDFN

رقم المنتج الأساسي

FDMC86259

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

3,000

اسماء اخرى

FDMC86259PCT

FDMC86259PDKR

FDMC86259PTR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

alpha-and-omega-semiconductor

AON7508

MOSFET N-CH 30V 26A/32A 8DFN

FDC3616N

MOSFET N-CH 100V 3.7A SUPERSOT6

alpha-and-omega-semiconductor

AOB2618L

MOSFET N-CH 60V 7A/23A TO263

onsemi

NTMTS0D7N06CLTXG

MOSFET N-CH 60V 62.2A/477A 8DFNW