رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDG316P
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDG316P-DG
وصف:
MOSFET P-CH 30V 1.6A SC88
وصف تفصيلي:
P-Channel 30 V 1.6A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
المخزون:
12840130
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDG316P المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.6A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
190mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
165 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
750mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SC-88 (SC-70-6)
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
رقم المنتج الأساسي
FDG316
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDG316PDKR
FDG316PCT
FDG316PTR
FDG316P-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NTJS4151PT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
10423
DiGi رقم الجزء
NTJS4151PT1G-DG
سعر الوحدة
0.08
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NVMFS5C404NLAFT3G
MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN
IRF620B_FP001
MOSFET N-CH 200V 5A TO220-3
FQPF7N20L
MOSFET N-CH 200V 5A TO220F
